Описание FDS8880
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока11.6 AТип корпусаSOICМаксимальное рассеяние мощности2.5 WТип монтажаПоверхностный монтажШирина4ммВысота2ммРазмеры5 x 4 x 1.5ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения7 нсПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения38 нсСерияPowerTrenchМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage1.2VМаксимальное сопротивление сток-исток10 m?Максимальное напряжение сток-исток30 VЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs23 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1235 пФ при 15 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.15
Полевой транзистор FDS8880: надежность и высокая производительность
Характеристики:
Тип: N-канальный
Напряжение: 30В
Ток: 11.6A
Полевой транзистор FDS8880 - это высококачественное устройство, которое обеспечивает устойчивую и эффективную работу вашей электроники. Благодаря своей надежности и высокой производительности, этот транзистор идеально подойдет для различных проектов и задач.
Не сомневайтесь в качестве и надежности компонентов - выбирайте полевой транзистор FDS8880 для вашего устройства!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.22 г. |
| Входная емкость | 1235пФ |
| Заряд затвора | 30нКл |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Сопротивление открытого канала | 10 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 11.6A |
| Корпус | SOIC8 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: b848876d
- Доступность: В наличие
- Артикул: FDS8880
-
рассчитывается индивидуально
