Описание FDP52N20
The FDP52N20 is an N-channel MOSFET produced from Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Вес, г2.5
Транзистор FDP52N20
Мощный и надежный транзистор для построения современных электронных устройств. Этот полевой N-канальный транзистор подходит для работы с напряжением до 200В и током до 52А, обладает мощностью до 357Вт.
Характеристики:
Тип: Полевой N-канальный
Напряжение: до 200В
Ток: до 52А
Мощность: до 357Вт
Необходимый компонент для профессиональных электронных схем и устройств. Гарантирует стабильную и эффективную работу вашего оборудования.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.84 г. |
| Входная емкость | 2900пФ |
| Заряд затвора | 63нКл |
| Мощность макс. | 357Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Сопротивление открытого канала | 49 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 52A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 34ab06ff
- Доступность: В наличие
- Артикул: FDP52N20
-
рассчитывается индивидуально
