FDP51N25, Транзистор полевой N-канальный 250В 51A

Описание FDP51N25 The FDP51N25 is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Fairchild Semiconductor's planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts. • 55nC Typical low gate charge • 63pF Typical low Crss Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока51 АТип корпусаTO-220ABМаксимальное рассеяние мощности320 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияШирина4.83ммВысота9.4ммРазмеры10.67 x 4.83 x 9.4ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина10.67ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения62 nsПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения98 nsСерияUniFETМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage3VМаксимальное сопротивление сток-исток60 МОмМаксимальное напряжение сток-исток250 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs55 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds2620 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 VВес, г2.5

Транзистор FDP51N25

Транзистор FDP51N25 представляет собой N-канальный полевой транзистор с номинальным напряжением 250В и током 51А. Он отличается высокой надёжностью и эффективностью работы, что делает его идеальным компонентом для различных электронных устройств.

Характеристики:

• Тип: N-канальный
• Напряжение: 250В
• Ток: 51А
• Надёжность: высокая

Обновите свои электронные устройства с помощью транзистора FDP51N25 и повысьте их производительность!