FDP22N50N, Транзистор полевой N-канальный 500В 22A

Описание FDP22N50N UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress. UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts. Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока22 AТип корпусаTO-220Максимальное рассеяние мощности312,5 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияШирина4.5ммВысота9.2ммРазмеры9.9 x 4.5 x 9.2ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина9.9ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения22 nsПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения48 нсСерияUniFETМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage3VМаксимальное сопротивление сток-исток220 мОмМаксимальное напряжение сток-исток500 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs49 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds2456 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 VВес, г2.5

Транзистор полевой FDP22N50N

Описание товара:

Н-канальный транзистор FDP22N50N представляет собой полевой транзистор с высоким напряжением пробоя 500V и током 22A. Этот компонент идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, требующих эффективного управления энергией.

Благодаря своим характеристикам, транзистор FDP22N50N обеспечивает надежную работу и эффективное управление энергией в вашем устройстве.