FDN358P, Транзистор полевой P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом

Описание FDN358P The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application. • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON) • 4nC Typical low gate charge Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока1,5 АТип корпусаSOT-23Максимальное рассеяние мощности500 мВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина1.4ммВысота0.94ммРазмеры2.92 x 1.4 x 0.94ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина2.92ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения5 нсПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения12 нсСерияPowerTrenchМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage1VМаксимальное сопротивление сток-исток125 м?Максимальное напряжение сток-исток30 VЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs4 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds182 пФ при 15 ВТип каналаPМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.05

Транзистор полевой FDN358P

Описание:

Транзистор FDN358P - это P-канальный полевой транзистор с характеристиками 30В 1.5А 0.5Вт и сопротивлением 0.06 Ом. Идеально подходит для использования в электронике, схемотехнике и DIY проектах.

Характеристики:

Напряжение: 30В

Ток: 1.5А

Мощность: 0.5Вт

Сопротивление: 0.06 Ом

Применение:

Транзистор FDN358P идеально подходит для использования в устройствах с низким энергопотреблением, преобразователях напряжения и других электронных устройствах.