FDN302P, Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт

Описание FDN302P The FDN302P is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications. • High performance trench technology for extremely low RDS (on) Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока2.4 AТип корпусаSOT-23Максимальное рассеяние мощности500 мВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина1.4ммВысота0.94ммРазмеры2.92 x 1.4 x 0.94ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина2.92ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения13 nsПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения25 нсСерияPowerTrenchМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage0.6VМаксимальное сопротивление сток-исток55 m?Максимальное напряжение сток-исток20 VЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs9 nC @ 4.5 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds882 пФ при 10 ВТип каналаPМаксимальное напряжение затвор-исток-12 В, +12 ВВес, г0.05

Транзистор полевой P-канальный FDN302P

Описание товара:

Характеристики:

Напряжение: 20В

Ток: 2.4А

Сопротивление: 0.08 Ом

Мощность: 0.5Вт

Транзистор FDN302P представляет собой полевой P-канальный элемент, который идеально подходит для использования в различных электронных устройствах. Он обладает высокой производительностью и надежностью, что делает его отличным выбором для любого проекта.

Благодаря своим характеристикам, этот транзистор отлично справляется с передачей высоких токов и обеспечивает стабильную работу цепей. Если вам нужен надежный элемент для вашего устройства, то транзистор FDN302P - отличный вариант.