Описание FDC655BN
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
Maximum Operating Temperature+150 °CMaximum Continuous Drain Current6.3 APackage TypeSOT-23Maximum Power Dissipation1.6 WMounting TypeSurface MountWidth1.7mmHeight1mmDimensions3 x 1.7 x 1mmTransistor MaterialSiNumber of Elements per Chip1Length3mmTransistor ConfigurationSingleTypical Turn-On Delay Time6 nsBrandON SemiconductorTypical Turn-Off Delay Time15 nsSeriesPowerTrenchMinimum Operating Temperature-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage1VMaximum Drain Source Resistance36 m?Maximum Drain Source Voltage30 VPin Count6CategoryPower MOSFETTypical Gate Charge @ Vgs5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 VChannel ModeEnhancementTypical Input Capacitance @ Vds470 pF @ 15 VChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VВес, г0.08
Транзистор FDC655BN для вашего электронного устройства
Надежный полевой транзистор для высоких нагрузок
Характеристики:
- Тип: N-канальный
- Напряжение: 30В
- Ток: 6.3A
Этот транзистор отлично подойдет для цепей с высокими нагрузками, обеспечивая стабильную работу вашего устройства. Установка FDC655BN обеспечит эффективную передачу сигнала и защитит электронику от перегрузок.
| Характеристики | |
| Входная емкость | 570пФ |
| Заряд затвора | 15нКл |
| Мощность макс. | 800мВт |
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Сопротивление открытого канала | 25 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 6.3A |
| Корпус | SSOT6 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: a47f75df
- Доступность: В наличие
- Артикул: FDC655BN
-
рассчитывается индивидуально
