FCP22N60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 22A

Описание FCP22N60N SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности. Первые представители семейства – FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N – 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной скоростью нарастания напряжения dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии. Отличительные особенности: • Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2 • dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс) • dv/dt транзистора: 100 В/нс • Лавинная энергия: 355 мДж у 199-мОм приборов; 672 мДж у 165-мОм приборов. Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.165 ом при 11a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт205Крутизна характеристики, S22Корпусto224Пороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5