Описание BSS138LT1G
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В50Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.22Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5 ом при 0.22a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.36Крутизна характеристики, S0.1Корпусsot23Пороговое напряжение на затворе1.6Вес, г0.05
Транзистор полевой BSS138LT1G
Характеристики:
Тип:
N-канальный
Напряжение:
50 В
Ток:
0.2 А
Мощность:
0.36 Вт
Сопротивление:
3.5 Ом
Отличный выбор для различных электронных устройств и схем. Гарантирует стабильную работу и высокую эффективность.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Входная емкость | 50пФ |
| Мощность макс. | 225мВт |
| Напряжение исток-сток макс. | 50В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 1.5В |
| Сопротивление открытого канала | 3.5 Ом |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 200мА |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: a0249f44
- Доступность: В наличие
- Артикул: BSS138LT1G
-
рассчитывается индивидуально
