AUIRL3705ZS, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А

Описание AUIRL3705ZS Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А86Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.008 ом при 52a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт130Корпусd2pakОсобенностиАвтомобильные ПриложенияПороговое напряжение на затворе1…3Вес, г2.5

Полевой транзистор AUIRL3705ZS

Технические характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 55 В

Ток: 75 А

Полевой транзистор AUIRL3705ZS отличается высокой надежностью и эффективностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, где необходимо обеспечить стабильную работу при высоком напряжении и токе.