Описание 2N7000TA
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5 ом при 0.5а, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.4Корпусto92Вес, г0.3
Транзистор полевой N-канальный 2N7000TA
Характеристики:
Напряжение: 60В
Ток: 350мА
Мощность: 0.4Вт
Идеальное решение для электронных устройств, требующих высокую производительность и эффективность.
Обеспечивает стабильную работу устройства при низком потреблении энергии.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.3 г. |
| Входная емкость | 50пФ |
| Мощность макс. | 400мВт |
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Сопротивление открытого канала | 5 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 200мА |
| Корпус | TO92/formed lead |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 85bf230b
- Доступность: В наличие
- Артикул: 2N7000TA
-
рассчитывается индивидуально
