FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

Описание FS75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT's can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives. Максимальная рабочая температура+125 °CДлина107.5ммTransistor ConfigurationТрехфазныеПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора105 AТип корпусаEconoPACK 2Максимальное рассеяние мощности350 ВтТип монтажаМонтаж на печатную платуМинимальная рабочая температура-40 °CШирина45ммВысота17ммЧисло контактов28Размеры107.5 x 45 x 17ммКонфигурация3-фазный мостМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNВес, г180

Биполярный транзистор IGBT FS75R12KE3BOSA1

Мощный и надежный

Характеристики:

- Напряжение: 1200 В

- Ток: 105 А

- Мощность: 350 Вт

Биполярный транзистор FS75R12KE3BOSA1 - отличное решение для электронных устройств, требующих высокой мощности и надежной работы. Обеспечивает стабильную работу при интенсивном использовании. Подходит для различных приложений, где требуется эффективный и надежный транзистор.