FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт

Описание FP75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives. Максимальная рабочая температура+125 °CДлина122ммTransistor ConfigurationТрехфазныйПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора105 AТип корпусаAG-ECONO3-3Максимальное рассеяние мощности355 ВтТип монтажаМонтаж на панельМинимальная рабочая температура-40 °CШирина62ммВысота17ммРазмеры122 x 62 x 17ммКонфигурация3-фазный мостМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNВес, г180

Биполярный транзистор FP75R12KE3BOSA1

Описание:

Этот биполярный транзистор IGBT предназначен для использования в различных электронных устройствах. Он имеет номинальное напряжение 1200 В и ток 75 A, что обеспечивает высокую эффективность и надежность работы. Мощность этого транзистора составляет 355 Вт, что позволяет использовать его в различных целях.

Характеристики:

- Напряжение: 1200 В

- Ток: 75 A

- Мощность: 355 Вт

Приобретите биполярный транзистор FP75R12KE3BOSA1 и обеспечьте надежную работу ваших устройств!