FP25R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт

Описание FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 39A 175W Chassis Mount Module Base Product NumberFP25R12 ->ConfigurationThree Phase InverterCurrent - Collector (Ic) (Max)39ACurrent - Collector Cutoff (Max)1mAECCNEAR99HTSUS8541.29.0095InputStandardInput Capacitance (Cies) @ Vce1.45nF @ 25VMoisture Sensitivity Level (MSL)Not ApplicableMounting TypeChassis MountNTC ThermistorYesOperating Temperature-40В°C ~ 150В°CPackageBulkPackage / CaseModulePower - Max175WREACH StatusREACH UnaffectedSupplier Device PackageModuleVce(on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 25AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200VВес, г65

Мощный биполярный транзистор FP25R12W2T4BOMA1

Идеальное решение для электронных схем

Характеристики:

Напряжение: 1200В

Ток: 25A

Мощность: 175Вт

Биполярный транзистор IGBT FP25R12W2T4BOMA1 - надежным компонентом для вашего проекта. Обеспечивает высокую производительность и эффективную работу. Подходит для широкого спектра применений в электронике.