Биполярный транзистор IGBT FF50R12RT4HOSA1
Основные характеристики:
Напряжение: 1200В
Ток: 50А
Тип: Биполярный транзистор IGBT
Модель: FF50R12RT4HOSA1
Отличное качество, надежность и высокая производительность - идеальный выбор для профессионалов в сфере электроники.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 180 г. |
| Нормоупаковка | 10 шт. |
| Корпус | 34 mm |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: bae225f9
- Доступность: В наличие
- Артикул: FF50R12RT4HOSA1
-
рассчитывается индивидуально
