FF300R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт

Описание FF300R12KE3HOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT's can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives. Максимальная рабочая температура+125 °CДлина106.4ммTransistor ConfigurationСерияПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора440 AТип корпусаAG-62MM-1Максимальное рассеяние мощности1.45 kWТип монтажаМонтаж на панельМинимальная рабочая температура-40 °CШирина61.4ммВысота30.9ммРазмеры106.4 x 61.4 x 30.9ммКонфигурацияСерияМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNВес, г340

Мощный биполярный транзистор FF300R12KE3HOSA1

Описание:

Напряжение: 1200 В

Ток: 300 А

Мощность: 1450 Вт

Этот биполярный транзистор является надежным и эффективным компонентом для систем электропитания. Он обладает высокой эффективностью и способен выдерживать большие нагрузки. Подходит для различных применений, требующих высокой мощности.