Биполярный транзистор IGBT FF200R12KE3HOSA1
Мощность и надежность в вашем устройстве
Этот биполярный транзистор IGBT обладает высокой номинальной мощностью - 1050 Вт, что позволяет эффективно управлять электрическим током и обеспечивать стабильную работу вашего устройства. С номинальным напряжением 1200 В и током 200 А, он обеспечивает надежное и эффективное функционирование даже при высоких нагрузках.
Характеристики:
- Номинальное напряжение: 1200 В
- Номинальный ток: 200 А
- Номинальная мощность: 1050 Вт
Обеспечьте стабильную и эффективную работу вашего устройства с помощью биполярного транзистора IGBT FF200R12KE3HOSA1.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 365 г. |
| Нормоупаковка | 10 шт |
| Корпус | 62 mm |
| Тип упаковки | Paper Box |
- Производитель: Electrony
- Код товара: e355c8e3
- Доступность: В наличие
- Артикул: FF200R12KE3HOSA1
-
14 592.87 р.
