Описание FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
Вес, г160
Биполярный транзистор FF150R12RT4HOSA1
Описание:
Этот биполярный транзистор IGBT обеспечивает надежное и эффективное управление электрическим током. С токовой нагрузкой до 150 А, напряжением до 1200 Вт и мощностью до 790 Вт, этот транзистор идеально подходит для различных электронных устройств и систем.
Характеристики:
Модель: FF150R12RT4HOSA1
Тип: биполярный транзистор IGBT
Токовая нагрузка: 150 А
Напряжение: 1200 В
Мощность: 790 Вт
Не забудьте проверить совместимость данного транзистора с вашими устройствами перед покупкой!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 182.2 г. |
| Нормоупаковка | 10 шт |
| Корпус | 34 mm |
| Тип упаковки | Tray (палетта) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: fca32ed9
- Доступность: В наличие
- Артикул: FF150R12RT4HOSA1
-
5 756.88 р.
