FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature+150 °CLength94ммTransistor ConfigurationСерияBrandInfineonMaximum Collector Emitter Voltage1200 ВMaximum Continuous Collector Current100 АPackage TypeAG-34MM-1Maximum Power Dissipation555 WMounting TypeМонтаж на панельMinimum Operating Temperature-40 °CWidth34ммВысота30.2ммDimensions94 x 34 x 30.2mmConfigurationСерияMaximum Gate Emitter Voltage±20VChannel TypeNВес, г160

Биполярный транзистор IGBT FF100R12RT4HOSA1

Характеристики:

Напряжение:

1200 В

Ток:

100 А

Мощность:

555 Вт

Биполярный транзистор IGBT FF100R12RT4HOSA1 - надежное и эффективное устройство для работы в электронных цепях. Идеально подходит для использования в различных устройствах, требующих высокой мощности.