Описание STGP8NC60KD
Maximum Operating Temperature+150 °CNumber of Elements per Chip1Length10.4ммTransistor ConfigurationОдинарныйBrandSTMicroelectronicsPackage TypeTO-220Maximum Power Dissipation65 WMounting TypeМонтаж на плату в отверстияMinimum Operating Temperature-55 °CWidth4.6ммMaximum Gate Threshold Voltage6.5VВысота15.75ммMinimum Gate Threshold Voltage4.5VPin Count3Typical Gate Charge @ Vgs19Channel ModeПоднятиеForward Diode Voltage2.1VВес, г2.5
Биполярный транзистор STGP8NC60KD
Мощный и надежный биполярный транзистор IGBT, предназначенный для работы при высоких напряжениях до 600 В и токе до 8 А.
Особенности:
- Идеально подходит для различных электронных устройств и систем управления.
- Обеспечивает стабильную и эффективную работу при высоких нагрузках.
Преимущества:
- Высокая надежность и долгий срок службы.
- Превосходное качество материалов и исполнения.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.78 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 30 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 65 Вт |
| Макс. ток коллектора | 15 А |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Переключаемая энергия | 55 мкДж |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
