STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт

Описание STGP14NC60KD The STGP14NC60KD is a short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. • Low on-voltage drop (VCE(sat)) • Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) • Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode • Switching losses include diode recovery energy • 10µs Short-circuit withstand time Технология/семействоpowermeshНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A25Импульсный ток коллектора (Icm), А50Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5Максимальная рассеиваемая мощность, Вт80Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс22.5Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс116Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-220Вес, г2.5

Биполярный транзистор STGP14NC60KD

Описание товара

STGP14NC60KD - это биполярный транзистор IGBT, который обеспечивает высокую частоту коммутации до 50 кГц. Данный транзистор имеет номинальные характеристики: ток 14 А, напряжение 600 В и мощность 80 Вт.

STGP14NC60KD идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность.