STGP10NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт

Описание STGP10NC60KD The STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses. • Lower on-voltage drop • Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) • Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode • 10µs Short-circuit withstand time • Low VCE (sat) for reduced conduction losses • Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling Технология/семействоpowermeshНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A20Импульсный ток коллектора (Icm), А30Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5Максимальная рассеиваемая мощность, Вт65Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс17Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс72Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-220Вес, г2.5