Описание STGB10NC60HDT4
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Технология/семействоpowermeshНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A20Импульсный ток коллектора (Icm), А30Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5Максимальная рассеиваемая мощность, Вт65Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс14.2Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс72Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусd2-pakВес, г2.5
Биполярный транзистор STGB10NC60HDT4
Описание:
Напряжение: 600 В
Ток: 10 А
Мощность: 65 Вт
Тип: IGBT
Биполярный транзистор STGB10NC60HDT4 обладает высокой производительностью и надежностью. Подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 1.94 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 30 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 65 Вт |
| Макс. ток коллектора | 20 А |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
| Переключаемая энергия | 31.8 мкДж |
| Корпус | D2PAK/TO263 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 36f909af
- Доступность: В наличие
- Артикул: STGB10NC60HDT4
-
162.89 р.
