SGP15N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт

Описание SGP15N120XKSA1 ХарактеристикиСтруктураnpt Максимальное напряжение кэ ,В1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A15 Напряжение насыщения при номинальном токе, В3.1 Управляющее напряжение,В4 Мощность макс.,Вт198 Крутизна характеристики, S- Температурный диапазон,С-55…150 Дополнительные опции- Корпусto220

Биполярный транзистор IGBT SGP15N120XKSA1

Мощный и надежный компонент для электроники

Характеристики:

- Напряжение: 1200 В

- Ток: 30 А

- Мощность: 198 Вт

Описание:

Биполярный транзистор IGBT SGP15N120XKSA1 обеспечивает высокую производительность и надежность в схемах управления энергопотребляющими устройствами. Идеально подходит для применения в преобразователях частоты, источниках питания и других устройствах, где требуется высокая эффективность и стабильность работы.