SGP02N120XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт

Описание SGP02N120XKSA1 Infineon Discrete IGBT Transistors Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode. Технология/семействоnptНаличие встроенного диоданетМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A6.2Импульсный ток коллектора (Icm), А9.6Напряжение насыщения при номинальном токе, В3.6Максимальная рассеиваемая мощность, Вт62Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс23Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс260Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусpg-to-220-3-1Структураn-каналУправляющее напряжение,В4Дополнительные опциивыдерживает 10мкс кзВес, г2.5