IRGPS46160DPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт

Описание IRGPS46160DPBF Single IGBT over 21A, Infineon Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's Технология/семействоgen 6.2Наличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A240Импульсный ток коллектора (Icm), А360Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.05Максимальная рассеиваемая мощность, Вт750Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс80Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс190Рабочая температура (Tj), °C-55…+175Корпусsuper-247Вес, г8

Биполярный транзистор IGBT IRGPS46160DPBF

Мощный и надежный транзистор для высокотехнологичных устройств

Характеристики:

- Напряжение: 600 В

- Ток: 240 А

- Мощность: 750 Вт

Этот биполярный транзистор IGBT обладает высокой эффективностью и надежностью в работе. Подходит для использования в различных высокотехнологичных устройствах, где необходимо выдерживать высокие токи и напряжения. Обеспечивает стабильную и эффективную работу устройства.