IRGP50B60PD1PBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт

Описание IRGP50B60PD1PBF Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления. Типовыми приложениями для IGBT-транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты. Для реализации мощных AC-DC преобразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада при выключении (так называемый «хвост»), что обеспечивает более высокую эффективность в сравнении с конкурентными приборами. Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала. 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45 А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25 А (при тех же температурах). Падение на открытом транзисторе не превышает 2 В при токе коллектора 33 А. IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена. ХарактеристикиСтруктураn-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.6 Управляющее напряжение,В5.5 Мощность макс.,Вт390 Крутизна характеристики, S41 Температурный диапазон,С-55…150 Дополнительные опции- Корпусto-247ac

Биполярный транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

Технические характеристики:

Напряжение: 600 В

Ток: 75 А

Мощность: 390 Вт

Биполярный транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF предназначен для использования в различных электронных устройствах и обладает высокой надежностью и эффективностью.