IRGP4066D-EPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт

Описание IRGP4066D-EPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses. Технология/семействоtrenchНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A140Импульсный ток коллектора (Icm), А225Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.1Максимальная рассеиваемая мощность, Вт454Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс50Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс200Рабочая температура (Tj), °C-55…+175КорпусTO-247ADСтруктураn-канал+диодУправляющее напряжение,В6.5Крутизна характеристики, S50Вес, г7.5

Мощный биполярный транзистор IRGP4066D-EPBF

Характеристики:

Напряжение: 600 В

Ток: 140 А

Мощность: 454 Вт

IRGP4066D-EPBF - надежный биполярный транзистор IGBT, предназначенный для работы в высоковольтных схемах. Обеспечивает стабильную и эффективную работу устройств даже при высоких нагрузках. Идеальный выбор для профессионалов в области электроники.