IRGP30B120KD-EP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт

Описание IRGP30B120KD-EP Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses. Технология/семействоnptНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A60Импульсный ток коллектора (Icm), А120Напряжение насыщения при номинальном токе, В4Максимальная рассеиваемая мощность, Вт300Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс50Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс210Рабочая температура (Tj), °C-55…+150КорпусTO-247ADСтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1200Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В1200Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)30Статический коэффициент передачи тока h21э мин30Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц40Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300Корпусto247adСтруктураn-канал+диодУправляющее напряжение,В5Крутизна характеристики, S16.9Вес, г7.5

Биполярный транзистор IRGP30B120KD-EP

Основные характеристики:

Напряжение: 1200 В

Ток: 60 А

Мощность: 300 Вт

IRGP30B120KD-EP - высококачественный биполярный транзистор IGBT для эффективного управления электрическим током в различных устройствах и системах.