IRGP20B60PDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт

Описание IRGP20B60PDPBF IGBT транзисторы были изначально предназначены для недорогой и эффективной замены силовых полевых транзисторов в среднем диапазоне напряжений (400-600 В). Однако для достижения поставленных целей разработчики IGBT должны были решить две главные проблемы: малая скорость переключений транзисторов и высокая себестоимость приборов. Решением этих проблем стала WARP серия IGBT транзисторов International Rectifier. Примерами WARP серии являются транзисторы IRGP20B60PDPBF и IRGB20B60PD1PBF Их время переключений максимально близко к аналогичному параметру силовых полевых транзисторов без ущерба отличным характеристикам проводимости IGBT. Благодаря малому размеру кристалла (при сохранении уровня мощности) WARP Speed IGBT имеют более низкий заряд затвора и сниженную стоимость в системах преобразования энергии 400-600 В, работающих на частотах до 150 кГц. Благодаря более высокой плотности тока IGBT, эти транзисторы даже при вдвое меньшем размере кристалла могут пропускать через себя в 2-3 раза выше ток, чем обычный MOSFET. Размер кристалла IGBT обычно составляет 40% от кристалла MOSFET транзистора той же выходной мощности. ХарактеристикиСтруктураn-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В3.7 Управляющее напряжение,В5 Мощность макс.,Вт220 Крутизна характеристики, S19 Температурный диапазон,С-55…150 Дополнительные опции- Корпусto247ac

Биполярный транзистор IRGP20B60PDPBF

Мощный компонент для электроники

Этот биполярный транзистор IGBT способен работать на напряжении до 600 В, с током до 40 А, и обладает мощностью 220 Вт. Идеально подходит для высокотоковых электронных устройств и силовых источников.

Характеристики:

• Напряжение: 600 В
• Ток: 40 А
• Мощность: 220 Вт

Обеспечьте надежную работу ваших проектов с помощью этого качественного транзистора!