IRG4PH50SPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт

Описание IRG4PH50SPBF Single IGBT over 21A, Infineon Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's Технология/семействоgen4Наличие встроенного диоданетМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A57Импульсный ток коллектора (Icm), А114Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.7Максимальная рассеиваемая мощность, Вт200Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс32Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс845Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-247acСтруктураn-каналУправляющее напряжение,В6Крутизна характеристики, S40Вес, г7.5

Биполярный транзистор IRG4PH50SPBF

Высококачественный IGBT транзистор для электроники

Характеристики:

Напряжение: 1200 В

Ток: 33 А

Мощность: 200 Вт

IRG4PH50SPBF - надежный биполярный транзистор, который обеспечивает эффективную работу в различных электронных устройствах. С его помощью можно создавать схемы с высокой надежностью и производительностью. Идеальный выбор для профессиональных проектов!