IRG4PH50KDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт

Описание IRG4PH50KDPBF ХарактеристикиСтруктураn-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В3.5 Управляющее напряжение,В6 Мощность макс.,Вт200 Крутизна характеристики, S- Температурный диапазон,С-55…150 Дополнительные опциивыдерживает 10мкс кз Корпусto-247

Биполярный транзистор IRG4PH50KDPBF

Мощный и надежный

Этот биполярный транзистор IGBT предназначен для работы в условиях высокого напряжения до 1200 В, высокого тока до 45 А и мощности до 200 Вт. Идеально подходит для использования в различных устройствах и системах, где требуется надежная и эффективная работа.

Характеристики:

Напряжение: 1200 В

Ток: 45 А

Мощность: 200 Вт

Необходимый компонент для создания качественных и производительных устройств!