IRG4PH30KPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт

Описание IRG4PH30KPBF ХарактеристикиСтруктураn-канал Максимальное напряжение кэ ,В1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В3.9 Управляющее напряжение,В6 Мощность макс.,Вт100 Крутизна характеристики, S6.5 Температурный диапазон,С-55…+150 Корпусto-247

Биполярный транзистор IRG4PH30KPBF

Мощный компонент для электроники

Этот биполярный транзистор IGBT обладает надежной работой на высоком уровне напряжения до 1200 В и токе до 20 А, обеспечивая выходную мощность до 100 Вт. Идеально подходит для использования в электронных устройствах требующих высокой мощности.

Характеристики:

• Напряжение: 1200 В
• Ток: 20 А
• Мощность: 100 Вт

Биполярный транзистор IRG4PH30KPBF - надежный и эффективный элемент для вашего проекта.