IRG4PC50UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт

Описание IRG4PC50UDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses. Технология/семействоgen4Наличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A55Импульсный ток коллектора (Icm), А220Напряжение насыщения при номинальном токе, В2Максимальная рассеиваемая мощность, Вт200Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс46Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс140Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-247acСтруктураn-канал+диодУправляющее напряжение,В6Крутизна характеристики, S24Вес, г7.5

Биполярный транзистор IRG4PC50UDPBF для электроники и электротехники

Отличное качество и высокая производительность

Характеристики: 600 В, 55 А, 200 Вт

Этот биполярный транзистор IGBT идеально подходит для широкого спектра применений в электронике, электротехнике и других областях. Он обладает высокой надежностью, хорошей эффективностью и долгим сроком службы.

С таким транзистором вы сможете создать мощные и надежные устройства, обеспечивающие стабильную работу ваших проектов. Приобретайте качественные компоненты для вашей техники!