IRG4PC40FDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 27 А, 160 Вт

Описание IRG4PC40FDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses. Технология/семействоgen4Наличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A49Импульсный ток коллектора (Icm), А196Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.7Максимальная рассеиваемая мощность, Вт160Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс63Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс230Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-247acВес, г7.5

Биполярный транзистор IRG4PC40FDPBF

Мощный компонент для вашего проекта

IRG4PC40FDPBF - это биполярный транзистор IGBT, который отлично подойдет для работы с высоким напряжением до 600 В и током до 27 А. Его мощность составляет 160 Вт, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств и проектов.

Особенности:

• Высокое напряжение и ток - позволяет использовать транзистор в различных приложениях
• Надежность и долговечность - обеспечивает стабильную работу вашей системы
• Превосходная мощность - обеспечивает эффективную передачу энергии

Не упустите возможность приобрести качественный компонент для вашего проекта по доступной цене!