IRG4BC30WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт

Описание IRG4BC30WPBF Single IGBT up to 20A, Infineon Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response which provide the user with the highest efficiency available. These devices utilise FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBTs Технология/семействоgen4Наличие встроенного диоданетМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A23Импульсный ток коллектора (Icm), А92Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.7Максимальная рассеиваемая мощность, Вт100Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс25Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс99Рабочая температура (Tj), °C-55…+150КорпусTO-220ABСтруктураn-каналУправляющее напряжение,В6Дополнительные опциивыдерживает 10мкс кзВес, г2.5

Биполярный транзистор IGBT IRG4BC30WPBF

Описание:

Напряжение: 600 В

Ток: 23 А

Мощность: 100 Вт

Биполярный транзистор IRG4BC30WPBF обладает высоким качеством и надежностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, где требуется переключение больших токов и напряжений. Гарантирует стабильную работу и эффективное управление энергопотреблением.