IRG4BC20KDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт

Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses. Технология/семействоgen4Наличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A16Импульсный ток коллектора (Icm), А32Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.8Максимальная рассеиваемая мощность, Вт60Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс54Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс180Рабочая температура (Tj), °C-55…+150КорпусTO-220ABСтруктураn-канал+диодУправляющее напряжение,В6Вес, г2.5