Описание IKW75N60TFKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Максимальная рабочая температура+175 °CДлина16.03ммTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)600 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора80 АТип корпусаTO-247Максимальное рассеяние мощности428 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-40 °CШирина21.1ммВысота5.16ммЧисло контактов3Размеры16.03 x 21.1 x 5.16ммМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VВес, г7.5
Биполярный транзистор IKW75N60TFKSA1
Основные характеристики:
Напряжение: 600 В
Ток: 80 А
Мощность: 428 Вт
Биполярный транзистор IKW75N60TFKSA1 предназначен для использования в различных электронных устройствах. Обладает высокой мощностью и надежностью. Идеальный выбор для проектов, требующих надежных компонентов.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 8.57 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 225 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 428 Вт |
| Макс. ток коллектора | 80 А |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Переключаемая энергия | 4.5 мДж |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: fd549b11
- Доступность: В наличие
- Артикул: IKW75N60TFKSA1
-
428.70 р.
