IKW50N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт

Описание IKW50N60TFKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrench and fieldstopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A80Импульсный ток коллектора (Icm), А150Напряжение насыщения при номинальном токе, В2Максимальная рассеиваемая мощность, Вт333Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс26Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс299Рабочая температура (Tj), °C-40…+175Корпусpg-to247-3Вес, г7.5

Биполярный транзистор IKW50N60TFKSA1 IGBT

Описание товара:

Напряжение: 600 В

Ток: 80 А

Мощность: 333 Вт

Биполярный транзистор IKW50N60TFKSA1 IGBT - надежный и эффективный компонент для электронных устройств.