IKW40N65F5FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт

Описание IKW40N65F5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS EU RoHSCompliantECCN (US)EAR99Part StatusActiveChannel TypeNConfigurationSingleMaximum Collector-Emitter Voltage (V)650Maximum Gate Emitter Voltage (V)±20Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)1.6Maximum Continuous Collector Current (A)74Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)0.1Maximum Power Dissipation (mW)255000Minimum Operating Temperature (°C)-40Maximum Operating Temperature (°C)175PackagingTubeAutomotiveNoPin Count3Supplier PackageTO-247Standard Package NameTO-247MilitaryNoMountingThrough HolePackage Height20.95Package Length15.9Package Width5.03PCB changed3TabTabLead ShapeThrough HoleВес, г7.5

Биполярный транзистор IGBT IKW40N65F5FKSA1

Описание товара:

Этот биполярный транзистор IGBT обладает напряжением 650 В, током 74 А и мощностью 255 Вт. Он идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, обеспечивая надежную и эффективную работу.

Характеристики:

- Напряжение: 650 В

- Ток: 74 А

- Мощность: 255 Вт

Приобретите биполярный транзистор IGBT IKW40N65F5FKSA1 и обеспечьте надежную работу вашего устройства!