IKW40N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт

Описание IKW40N120T2FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrenchstop 2Наличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A75Импульсный ток коллектора (Icm), А160Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.2Максимальная рассеиваемая мощность, Вт480Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс33Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс314Рабочая температура (Tj), °C-40…+175Корпусpg-to247-3Вес, г7.5

Биполярный транзистор IKW40N120T2FKSA1

Мощный и надежный IGBT транзистор

Характеристики:

Напряжение: 1200 В

Ток: 75 А

Мощность: 480 Вт

Этот биполярный транзистор подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах, где требуется высокая эффективность и надежность. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает стабильную работу и высокую производительность. Приобретая этот транзистор, вы получаете качественный продукт, который прослужит вам долгое время.