IKW40N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт

Описание IKW40N120H3FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Максимальная рабочая температура+175 °CДлина16.03ммTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора80 AТип корпусаTO-247Максимальное рассеяние мощности483 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-40 °CШирина5.16ммВысота21.1ммЧисло контактов3Размеры16.03 x 5.16 x 21.1ммМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNВес, г7.5

Биполярный транзистор IKW40N120H3FKSA1

Мощный IGBT транзистор с параметрами:

Напряжение: 1200 В

Ток: 80 А

Мощность: 483 Вт

Идеальный выбор для высокопроизводительных устройств и электроники с высокими требованиями к надежности и эффективности.