IKW30N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт

Описание IKW30N60TFKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrench and fieldstopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A45Импульсный ток коллектора (Icm), А90Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.05Максимальная рассеиваемая мощность, Вт187Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс23Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс254Рабочая температура (Tj), °C-40…+175Корпусpg-to247-3Структураn-канал+диодУправляющее напряжение,В4.9Крутизна характеристики, S16.7Дополнительные опцииtrench and fieldstopВес, г7.5

Биполярный транзистор IGBT IKW30N60TFKSA1

Описание:

Напряжение: 600 В

Ток: 60 А

Мощность: 187 Вт

Биполярный транзистор IKW30N60TFKSA1 - надежное и высококачественное электронное устройство для работы с электричеством. Прекрасно подходит для использования в различных электронных устройствах и системах.