IKW30N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт

Описание IKW30N60H3FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrench and fieldstopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A60Импульсный ток коллектора (Icm), А120Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4Максимальная рассеиваемая мощность, Вт187Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс21Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс207Рабочая температура (Tj), °C-40…+175Корпусpg-to247-3СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В600Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В600Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)60Статический коэффициент передачи тока h21э мин30Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц40Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт187Корпусto247Вес, г7.5

Биполярный транзистор IKW30N60H3FKSA1

Описание товара:

Тип: Биполярный транзистор IGBT

Напряжение: 600 В

Ток: 60А

Мощность: 187 Вт

Высококачественный биполярный транзистор IKW30N60H3FKSA1 предназначен для применения в электронных устройствах с высокими требованиями к энергоэффективности и надежности. Идеально подходит для использования в современных инверторах, блоков питания и других устройствах. Гарантирует стабильную работу и длительный срок службы.