IKW25N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт

Описание IKW25N120T2FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Максимальная рабочая температура+175 °CДлина16.13ммTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора50 AТип корпусаTO-247Максимальное рассеяние мощности349 ВтEnergy Rating4.3mJТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-40 °CШирина5.21ммВысота21.1ммЧисло контактов3Размеры16.13 x 5.21 x 21.1ммМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNЕмкость затвора1600пФВес, г7.5

Биполярный транзистор IGBT IKW25N120T2FKSA1

Мощный транзистор для электронных устройств

Характеристики:

Напряжение: 1200 В

Ток: 50 А

Мощность: 349 Вт

Биполярный транзистор IKW25N120T2FKSA1 - надежное и эффективное решение для вашей электроники. Обладает высокой мощностью и надежностью в работе. Подходит для широкого спектра применений.