Описание IKW25N120H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Максимальная рабочая температура+175 °CДлина16.13ммTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора50 AТип корпусаTO-247Максимальное рассеяние мощности326 ВтEnergy Rating4.3mJТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-40 °CШирина5.21ммВысота21.1ммЧисло контактов3Размеры16.13 x 5.21 x 21.1ммМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNЕмкость затвора1430пФВес, г7.5
Биполярный транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1
Технические характеристики:
- Напряжение: 1200 В
- Ток: 50 А
- Мощность: 326 Вт
Биполярный транзистор IKW25N120H3FKSA1 - надежный и эффективный компонент для использования в устройствах с высокими электрическими требованиями. Обеспечивает стабильную работу и устойчивость к перегрузкам.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 8 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 100 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 326 Вт |
| Макс. ток коллектора | 50 А |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Переключаемая энергия | 2.65 мДж |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 10bd2f7c
- Доступность: В наличие
- Артикул: IKW25N120H3FKSA1
-
рассчитывается индивидуально
