IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

Описание IKW15N120H3FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrench and fieldstopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A30Импульсный ток коллектора (Icm), А60Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4Максимальная рассеиваемая мощность, Вт217Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс21Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс260Рабочая температура (Tj), °C-40…+175Корпусpg-to247-3Вес, г7.5

Биполярный транзистор IKW15N120H3FKSA1

Мощный транзистор для электронных устройств

Характеристики:

Напряжение: 1200 В

Ток: 30 А

Мощность: 217 Вт

Биполярный транзистор IKW15N120H3FKSA1 является надежным и эффективным компонентом для различных электронных устройств. С его помощью можно управлять электрическими сигналами с высокой степенью точности.