IKP15N65F5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт

Описание IKP15N65F5XKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Максимальная рабочая температура+175 °CДлина10.36ммTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)650 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора30 AТип корпусаTO-220Максимальное рассеяние мощности105 ВтEnergy Rating0.17mJТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-40 °CШирина4.57ммВысота15.95ммЧисло контактов3Размеры10.36 x 4.57 x 15.95ммМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNЕмкость затвора930пФВес, г2.8

Биполярный транзистор IGBT IKP15N65F5XKSA1

Мощный и надежный транзистор для вашего проекта

Характеристики:

Напряжение: 650 В

Ток: 30 А

Мощность: 105 Вт

Биполярный транзистор IGBT IKP15N65F5XKSA1 обладает высокой производительностью и надежностью. Подходит для широкого спектра применений, включая промышленные устройства, силовые блоки и электронные системы. Позволяет эффективно управлять током и напряжением, обеспечивая стабильную работу вашего оборудования.