IHW20N120R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт

Описание IHW20N120R3FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrenchНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A40Импульсный ток коллектора (Icm), А60Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.7Максимальная рассеиваемая мощность, Вт310Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс387Рабочая температура (Tj), °C-40…+175Корпусpg-to247-3СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1200Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В1200Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)40Статический коэффициент передачи тока h21э мин30Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт310Корпусto247Вес, г7.5

Биполярный транзистор IGBT IHW20N120R3FKSA1

Описание товара:

Напряжение: 1200 В

Ток: 40 А

Мощность: 310 Вт

Биполярный транзистор IGBT IHW20N120R3FKSA1 - качественный и надежный компонент для использования в различных электронных устройствах. Отличается высокой производительностью и долгим сроком службы. Идеально подходит для применения в силовой электронике и промышленных установках.