IGW60T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт

Описание IGW60T120FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrench and fieldstopНаличие встроенного диоданетМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A100Импульсный ток коллектора (Icm), А150Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4Максимальная рассеиваемая мощность, Вт375Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс50Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс480Рабочая температура (Tj), °C-40…+150Корпусpg-to-247-3Вес, г7.5

Биполярный транзистор IGBT IGW60T120FKSA1

Технические характеристики:

Напряжение: 1200 В

Ток: 100 А

Мощность: 375 Вт

Отличный выбор для использования в электронных устройствах с высокими требованиями к производительности. Гарантирует надежную работу и эффективную передачу энергии.